吴安平：电网的自然垄断与超级垄断不是一回事

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(d)界面孔洞元素EDS分析而采用优化过的甲酸→Ar/O2流程活化后，平电相比表面实现原子级清洁该方案可在Cu表面构建一层羟基结构。垄断图3.经FA→Ar/O2表面协同活化实现羟基化后获得的Cu-Cu键合界面(a-c)低倍TEM图像。

该方法无需对Cu和SiO2表面进行官能团的选择性构建，回事而是通过协同活化的办法使金属/氧化物混合表面同时悬挂高活性羟基(-OH)官能团，回事以兼顾Cu-Cu与SiO2-SiO2键合，最终在200℃（界面实际温度185℃）的低温条件下实现了原子扩散充分且性能稳定的同质Cu-Cu、SiO2-SiO2及Cu/SiO2混合键合界面。目前担任中国机械学会焊接分会青年委员会、吴安网电子封装国际会议(ICEPT)技术委员会等多个学术组织的委员，IEEE高级会员(SeniorMember)。图1.Cu-Cu、平电SiO2-SiO2和Cu/SiO2活化键合工艺示意图(a)表面单一活化、两步协同活化工艺。

垄断图5.表面协同活化后所得SiO2-SiO2界面微观结构(a)(d)Ar/O2→FA活化后键合界面及元素组成分析。通过该结构层的辅助以及原子扩散，回事最终在低温下获得的Cu-Cu键合界面如图3所示。

因此键合后获得的Cu-Cu界面透射图像能够观察到原始的Cu层，吴安网且界面存在一定数量的微孔洞，吴安网对其元素组成进行分析，发现其中部分孔洞含有微量氧化，部分无氧化空洞则由表面形貌缺陷造成。

如图4所示，平电两类表面协同活化并低温键合的界面电阻十分相近。随着张峰的变动，垄断他负责的大家电部也迎来了重组。

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